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簡(jiǎn)要描述：平行板電容式PECVD是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激活并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-05-08訪 問(wèn) 量：881產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
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詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子 |
平行板電容式PECVD是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激活并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。該系統(tǒng)為單室等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設(shè)備，用于生長(zhǎng)納米線或用CVD，方法來(lái)制作各種薄膜是一款新的探索工具。
1、系統(tǒng)采用單筒式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)前開(kāi)門
2、高真空環(huán)境下進(jìn)行沉積薄膜
3、不銹鋼腔體
4、樣品臺(tái)可轉(zhuǎn)動(dòng)
| 產(chǎn)品名稱 | 平行板電容式PECVD | |
| 安裝條件 | 1、環(huán)境溫度：10℃～35℃ 2、相對(duì)濕度：不大于75% 3、供電電源：220V、單相、50±0.5 Hz 4、設(shè)備功率：小于4KW 5、供水：水壓0.2MPa～0.4MPa,水溫15℃～25℃， 6、設(shè)備周圍環(huán)境整潔，空氣清潔，不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?；驓怏w存在。 | |
| 主要參數(shù) | 1、系統(tǒng)采用單室筒式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)前開(kāi)門； 2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理配有可視觀察窗口，并帶擋板，真空室尺寸為Φ300mm×300mm； 3、極限真空度：8.0x10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用600L/S分子泵抽氣，前級(jí)采用4L/S)； 系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開(kāi)始抽氣到8.0x10-4 Pa，40分鐘可達(dá)到； 停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤20 Pa； 4、采用樣品在下，噴淋頭在上的電容式耦合方式進(jìn)氣； 5、樣品最高加熱溫度：500℃，溫控精度：±1°C，采用溫控表進(jìn)行控溫； 6、噴淋頭尺寸：Φ90mm，噴淋頭與樣品之間電極間距15-50mm在線連續(xù)可調(diào)（可根據(jù)工藝調(diào)整），并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示； 7.、沉積工作真空：13.3-133Pa（可根據(jù)工藝調(diào)整）； 8、射頻電源：頻率 13.56MHz，最大功率300W全自動(dòng)匹配； 9、氣體種類（用戶自備），標(biāo)準(zhǔn)配置為2路100sccm質(zhì)量控制器，用戶可根據(jù)工藝更改氣路配置； 10、系統(tǒng)尾氣處理系統(tǒng)(用戶自備)。  | |
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