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簡要描述:1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長薄膜而設(shè)計的,特別是應(yīng)用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。
產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
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詳細(xì)介紹
產(chǎn)品型號 | 1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV |
主要特點 | 1、采用高純氧化鋁保溫材料,保證了*的溫度均勻性。 2、內(nèi)爐膛表面涂有美國進口氧化鋁涂層,可以提高反射率和保護爐膛潔凈度。 3、采用PID控制器 ,可以設(shè)置30段升降溫程序。 4、金屬箔纏繞在內(nèi)管的外表面上發(fā)生CVD反應(yīng)。 5、采用雙管真空密封法蘭,允許反應(yīng)氣體通過兩管之間(10mm間隙)。 6、冷卻氣體直接通入內(nèi)管。 7、配有帶KF25快接和波紋管的高速機械泵。 8、爐底部裝有滑軌,爐體可從一端滑向另一端,從而實現(xiàn)快速升溫和降溫。為了獲得較快的加熱速度,可以 先將爐體預(yù)熱,然后滑至放置樣品處;為了獲得較快的冷卻速度,可將爐體滑至另一端,同時將冷氣通入 樣品所在處。 9、密封法蘭系統(tǒng)采用不銹鋼制作。 10、已通過CE認(rèn)證。 |
技術(shù)參數(shù) | 管式爐 1、電源:單相AC 208-240V 50/60Hz 2.5KW (20A保險絲) 2、石英管:外管外徑Φ100mm,內(nèi)徑Φ96mm,長1400mm 內(nèi)管外徑Φ80mm,內(nèi)徑Φ75mm,長1400mm 3、加熱元件:摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲(表面涂有氧化鋯) 4、加熱區(qū)域:440mm 5、恒溫區(qū)域:120mm(±1℃在400-1100℃) 6、工作溫度:zui高1100℃,連續(xù)工作1000℃ 7、zui大升降溫速率:20℃/min 8、控溫精度:±1℃ 9、真空度:10-2torr(機械泵),10-5torr(分子泵) |
質(zhì)量流量混氣系統(tǒng) 1、質(zhì)子流量計:4路精密質(zhì)子流量計,數(shù)字顯示,氣體流量自動控制 MFC1范圍0-100sccm,MFC2范圍0-200sccm,MFC3范圍0-200sccm,MFC1范圍0-500sccm 2、流量精度:0.2% 3、氣路:4路(每個氣路都有一個獨立的不銹鋼針閥控制) 4、進出氣口:1/4″卡套 5、混氣罐:1個 | |
產(chǎn)品規(guī)格 | 尺寸:管式爐550mm×380mm×520mm,移動架600mm×600mm×597mm 重量:135kg |
可選配件 | 1、分子泵 2、雙溫區(qū)管式爐 3、銅箔(生長石墨烯150mm×150mm×25µm) |
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